SK海力士首超三星登顶DRAM市场

作者：周源 / 华尔街见闻

2025 年第一季度，全球 DRAM 市场迎来自 1992 年三星电子确立行业领导地位以来，最重大的格局变动。

根据市场研究机构 Omdia 统计数据，SK 海力士以 36.9% 的市占率首次超越三星电子（34.4%），成为全球最大 DRAM 供应商。

尽管第一季度全球 DRAM 销售额因合同价格下跌、以及 HBM 出货量下降，导致环比减少 9% 至 263.3 亿美元，但 SK 海力士凭借 97.2 亿美元的营收表现逆势上扬，而三星电子营收则同比下滑 19% 至 91 亿美元。

这一结果不仅终结了三星持续 33 年的市场垄断，更标志着 AI 驱动下的存储技术迭代，正在重塑行业竞争逻辑。

高带宽内存（HBM）成为此次市场格局变化的核心变量。

SK 海力士通过长期技术积累，在 HBM3E 领域建立起显著优势；第五代 HBM3E 产品采用 12 层堆叠技术，带宽达到 1.2TB/s，单颗容量最高 36GB，主要供应英伟达 H200、B200 等 AI 加速卡。

凭借在 TSV（硅通孔）封装技术上的先发优势，SK 海力士自 2009 年起持续投入研发，构建了从设计、量产到测试的完整技术体系。

目前，SK 海力士 HBM 产品已占据全球市场主要份额，尤其在 HBM3 细分领域占比超过 90%。

相比之下，三星因 HBM3E 技术不过关（长时间无法通过英伟达测试）导致高单价产品出货量骤减，直接拖累整体营收表现。

在传统 DRAM 领域，SK 海力士通过 1b nm（1 α 纳米）制程技术的快速量产，实现了性能与成本的优化平衡。

海力士 1b nm DDR5 产品能效比相比上一代提升 20%，支撑了在服务器和 PC 市场的份额扩张；三星在 1a nm 制程的良率提升上遭遇瓶颈，导致高端 DDR5 产品供应不足，被迫将部分产能转向成熟制程，进一步削弱市场竞争力。

生成式 AI 模型的参数规模呈指数级扩张，对存储带宽和容量提出了严苛要求。

以英伟达 H100 GPU 为例，需配置 640GB HBM3E 和 2TB DDR5 内存，而训练 GPT-5 级别的模型更需 EB 级存储支持。

SK 海力士通过与英伟达的深度绑定，在 AI 服务器市场占据超过 70% 的份额，其 HBM3E 产品已被微软 " 星际之门 "、谷歌 Gemini 等超大规模 AI 项目采用。

HBM 生产高度依赖先进封装技术，其中 TSV 和微凸块（μ Bump）工艺占据关键地位。

SK 海力士通过自研 MR-MUF（金属扩散阻挡层）技术，将 HBM3E 的堆叠层数，从 8 层提升至 12 层，同时良率表现较好。

台积电作为其主要封装合作伙伴，已将 CoWoS 产能的 70% 分配给 SK 海力士，确保了 HBM3E 的稳定供应。

三星因其 12 层 HBM3E 产品的量产时间反复推迟——最新消息是推迟至 2025 年第三季度，故而丧失市场先机。

此外，HBM 生产所需的高纯度铜、环氧树脂等材料仍高度依赖进口，其中 SK 海力士 60% 的 TSV 刻蚀设备来自科林研发（Lam Research），Syndion 系列设备可实现深硅晶蚀刻，满足 HBM 封装需求。

目前，SK 海力士和三星电子均已启动 HBM4 研发，其中海力士计划在 2025 年下半年推出样品，其 16 层堆叠产品带宽将达 2.56TB/s，单颗容量 64GB，主要面向英伟达 H300 和 AMD MI400X 等下一代 AI 加速器。

三星则押注于混合键合技术，试图在 HBM4E 阶段实现技术反超，但由于存在 NAND 与 DRAM 联产工艺的兼容性问题，故而其量产进度存在不确定性。

在传统 DRAM 领域，SK 海力士计划在 2025 年底将 1b nm 产能提升至每月 9 万片，并启动 1c nm 工艺研发，目标将晶体管密度再提升 20%。

三星则聚焦于极紫外光刻（EUV）技术的应用，其 1a nm 制程的 EUV 导入率已达 40%，但良率提升缓慢制约了规模效应的发挥。

随着 AI PC 和端侧大模型的普及，SK 海力士推出专为 AI 计算设计的 LPCAMM2 存储模块，支持 40TOPS+ 的算力需求，并与联想、戴尔等厂商合作推动量产。

三星则通过与 AMD 合作，试图在嵌入式 DRAM（eDRAM）领域打开新市场，但其面向车载和物联网的 eDRAM 产品性能指标仍落后于美光科技。

此次变局标志着 DRAM 产业从规模竞争转向技术纵深竞争。

2025 年 Q1，SK 海力士、三星电子和美光科技在 DRAM 的合计市占率超 95%+。其中，SK 海力士在 HBM 市场的份额超过 60%，形成技术寡头格局；价格周期呈现结构性分化：普通 DRAM 均价跌超 10%，但 HBM3E 价格仅环比微降 3%，AI 相关存储产品成为抗周期支点。

随着 AI 服务器需求的持续增长，据 TrendForce 预测，今年二季度，DRAM 价格将止跌回升——市场消息也已部分验证这项推测——其中 HBM3E 价格涨幅有望达 5%-10%，成为行业复苏的主要驱动力。

此次 SK 海力士超越三星登顶 DRAM 市场，不仅是两家企业技术路线与市场策略的较量，更是 AI 时代存储技术范式转换的集中体现。

随着 HBM 和先进制程的持续迭代，行业竞争将从规模扩张转向技术纵深，而技术卡位能力、产业链协同效率，也将成为决定企业长期竞争力的关键要素。

对于整个半导体产业而言，这一事件标志着 AI 驱动的存储革命已进入深水区，技术创新与生态重构将共同塑造未来十年的行业格局。